امورفوس ایلائی کور

امورفوس بنیادی مصنوعات کی تفصیل

---

 

GNEE ہائی پرفارمنس امورفوس کور ایک منفرد غیر - کرسٹل لائن مصر دات کا مواد استعمال کرتے ہیں۔ یہ امورفوس مقناطیسی کور غیر معمولی خصوصیات پیش کرتے ہیں ، جن میں کم بنیادی نقصانات اور اعلی سنترپتی بہاؤ کثافت شامل ہیں ، جس سے وہ بجلی کے الیکٹرانکس میں وسیع پیمانے پر ایپلی کیشنز کے لئے مثالی ہیں۔

 

ان کا جدید ڈیزائن اور تعمیر انہیں ماحول کا مطالبہ کرنے ، توانائی کی کارکردگی کو بڑھانے اور بجلی کی کھپت کو کم کرنے کے لئے انتہائی موثر اور موزوں بنا دیتا ہے۔

 

امورفوس ایلائی کور

---

امورفوس کور کا اطلاق

---

 

امورفوس کور کی استعداد انہیں مختلف شعبوں جیسے ٹرانسفارمر اور انڈکٹرز ، سینسر اور ڈٹیکٹر ، پاور الیکٹرانکس ، اور اعلی- تعدد ایپلی کیشنز کے ل suitable موزوں بناتی ہے ، توانائی کے تبادلوں کی کارکردگی کو بہتر بنانے ، توانائی میں کمی کو کم کرنا ، اور مستحکم سگنل پروسیسنگ اور ٹرانسمیشن کی صلاحیتوں کو فراہم کرنا۔

 

• ٹرانسفارمر اور انڈکٹرز: امورفوس کور ٹرانسفارمرز اور انڈکٹرز میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں۔ اس کی اعلی سنترپتی انڈکشن کی شدت اور کم ہسٹریسیس نقصان اسے موثر توانائی کے تبادلوں اور برقی توانائی کی ترسیل میں فوائد فراہم کرتا ہے۔ امورفوس مقناطیسی کوروں کا کم ہسٹریسیس نقصان توانائی کے نقصان کو کم کرسکتا ہے اور نظام کی کارکردگی کو بہتر بنا سکتا ہے۔

 

• پاور الیکٹرانکس ایپلی کیشنز: امورفوس کور بھی بجلی کے الیکٹرانکس کے میدان میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں ، جیسے سوئچ - موڈ پاور سپلائی ، فریکوینسی کنورٹرز ، موٹر ڈرائیور وغیرہ۔ امورفوس کور موثر بجلی کی توانائی کی تبدیلی فراہم کرسکتے ہیں ، جبکہ درجہ حرارت میں کم اضافہ اور تھرمل ڈسپشن بھی ہوتا ہے ، جو نظام کی استحکام اور کارکردگی کو بہتر بنانے میں مدد کرتا ہے۔

 

• سینسر اور ڈٹیکٹر: ان کی اعلی مقناطیسی پارگمیتا اور کم ہسٹریسیس خصوصیات کی وجہ سے ، امورفوس کور سینسر اور ڈٹیکٹروں میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں۔ مثال کے طور پر ، مقناطیسی سینسر ، موجودہ سینسر ، مقناطیسی میموری ، اور مقناطیسی پٹی میں سر پڑھ/لکھنے کے سروں میں استعمال کیا جاتا ہے۔

 

 

امورفوس کور کے کارکردگی کے پیرامیٹرز

---

 

1. سنترپت مقناطیسی انڈکشن کی شدت (BSAT): سنترپت مقناطیسی انڈکشن کی شدت سے مراد زیادہ سے زیادہ قیمت ہوتی ہے جس پر مقناطیسی بنیادی مادے کی مقناطیسی انڈکشن کی شدت بیرونی مقناطیسی فیلڈ کی کارروائی کے تحت سنترپتی تک پہنچ جاتی ہے۔ ایک اعلی سنترپتی مقناطیسی انڈکشن کی شدت کا مطلب یہ ہے کہ مقناطیسی بنیادی مواد زیادہ مقناطیسی توانائی کو ذخیرہ کرسکتا ہے اور اس میں زیادہ مقناطیسی سنترپتی صلاحیت موجود ہے۔

 

2. جبر (ہائی کورٹ): جبر سے مراد بیرونی مقناطیسی فیلڈ کی طاقت ہے جو مقناطیسی بنیادی مادے کی مقناطیسی انڈکشن کی شدت کو ڈیماگنیٹائزیشن کی کارروائی کے تحت صفر تک کم کرنے کے لئے درکار ہے۔ اعلی جبر کا مطلب یہ ہے کہ مقناطیسی بنیادی مادے میں اعلی اینٹی - مقناطیسی صلاحیت موجود ہے اور یہ بیرونی مقناطیسی فیلڈ کی کارروائی کے تحت مستحکم مقناطیسی خصوصیات کو برقرار رکھ سکتی ہے۔

 

3. ہسٹریسیس نقصان (پی وی): ہائسٹریسیس نقصان سے مراد مقناطیسی بنیادی مواد کے ذریعہ مقناطیسی بنیادی مواد کے ذریعہ پیدا ہونے والے توانائی کے نقصان سے مراد ہے۔ کم ہائسٹریسیس نقصان کا مطلب یہ ہے کہ مقناطیسی بنیادی مادے میں توانائی کا کم نقصان ہوتا ہے اور وہ توانائی کے تبادلوں کی اعلی کارکردگی فراہم کرسکتا ہے۔